您当前的位置：成果库 > 一种AlGaN/GaN异质结场效应晶体管
496
2020/06/08
咨询成果
发布成果基本信息
- 成果类型 高等院校
- 委托机构 西安电子科技大学
- 成果持有方 西安电子科技大学
- 行业领域 电子元器件
- 项目名称 一种AlGaN/GaN异质结场效应晶体管
- 知识产权 发明专利
- 项目简介 本发明公开了一种具有钝化层电荷补偿的新AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。这种新的晶体结构是在晶体管栅极和漏极之间的表面钝化层中注入电荷形成电荷补偿层，这些电荷存在于晶体管表面，在不影响AlGaN/GaN异质结极化效应的同时能通过电场调制效应使表面电场重新分布，产生新的电场峰，从而使得栅边缘以及漏端高电场降低，表面电场趋于均匀，击穿电压和器件可靠性相比于传统结构也就有了明显的提高与改善。另外利用电荷补偿层的电荷补偿作用，使沟道载流子浓度重新分布，可以使器件导通电阻减小，输出电流增大。
交易信息
- 意向交易额 面议
- 挂牌时间 2021/06/08
- 委托机构 西安电子科技大学
- 联系人姓名 王小刚
- 联系人电话 15802954800
- 联系人邮箱 745490733@qq.com
- 分享至：
