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一种具有低介电常数的超支化聚酰亚胺薄膜制备方法

3912020/08/05
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西北工业大学
  • 成果持有方 西北工业大学
  • 行业领域 微电子
  • 项目名称 一种具有低介电常数的超支化聚酰亚胺薄膜制备方法
  • 知识产权 发明专利
  • 项目简介 本发明涉及一种具有低介电常数的超支化聚酰亚胺薄膜制备方法,以2,4,6‑三氨基嘧啶(TAP)为支化中心,采用一步法合成了一系列具有超支化结构的低介电PI薄膜。超支化结构的引入,显著降低了PI薄膜的介电常数,同时较好的保持了PI固有的优势,赋予了薄膜良好的力学强度和热氧稳定性。超支化结构中包含大量分子链末端基,有效抑制了分子链的密实堆砌,从而使超支化PI薄膜具有优异的溶解特性,更易于被加工成复杂器件。与目前普遍使用的Kapton标准膜相比,在同等测试条件下本发明法制备的超支化PI薄膜的介电常数降低了20%~40%,最低介电常数甚至接近2.0,达到超低介电常数的水平,能够满足未来微电子行业发展的迫切需求。
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交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2021/08/05
  • 委托机构 西北工业大学
  • 联系人姓名 王小刚
  • 联系人电话 15802954800
  • 联系人邮箱 745490733@qq.com
  • 分享至:

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