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基于SiC衬底的太赫兹GaN耿氏二极管及其制作方法

5652018/03/16
咨询成果 发布成果
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 微电子学院
  • 成果持有方 微电子学院
  • 行业领域 三网融合
  • 项目名称 基于SiC衬底的太赫兹GaN耿氏二极管及其制作方法
  • 知识产权 发明专利
  • 项目简介 基于SiC衬底的太赫兹GaN耿氏二极管及其制作方法
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交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2016/02/08
  • 委托机构 微电子学院
  • 联系人姓名 权晓阳
  • 联系人电话 029-89184706
  • 联系人邮箱 547269666@qq.com
  • 分享至：

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